Unterschied zwischen EEPROM und Blitz
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- Kurt Reinelt
Eeprom gegen Flash
Flas. Flas. Der Hauptunterschied zwischen EEPROM und Flash ist die Art von Logik -Toren, die sie verwenden. Während EEPROM das schnellere oder (eine Kombination aus nicht und oder) verwendet, verwendet Flash den langsameren NAND (nicht und und) -Typ. Der Nor -Typ ist viel schneller als der NAND -Typ, aber es besteht die Frage der Erschwinglichkeit, da erstere deutlich teurer ist als der NAND -Typ.
Ein weiterer Vorteil von EEPROM gegenüber Flash besteht darin, wie Sie auf die gespeicherten Daten zugreifen und löschen können. EEPROM kann auf das Daten Byte oder ein Byte nach dem anderen zugreifen und löschen. Im Vergleich kann Flash dies nur blockig tun. Um das Ganze zu vereinfachen, werden einzelne Bytes in eine geringere Anzahl von Blöcken unterteilt, die in jedem Block Tausende von Bytes haben können. Dies ist ein bisschen problematisch, wenn Sie jeweils nur ein einzelnes Byte lesen oder schreiben möchten. Welches ist normalerweise benötigt, um den Code eines Programms auszuführen. Dies ist ein Grund, warum Flas. Daten in Flash können auch ausgeführt werden, muss jedoch als Ganzes gelesen und vorher in RAM geladen werden.
EEPROM wurde entwickelt, um viel mehr gelesen zu werden als es geschrieben wurde. Dies ist im Inline-Programmierung für elektronische Schaltungen, in denen Sie beim Testen des Programms einige Male in den Chip schreiben. Dann wird es endgültig gespeichert, nur um jedes Mal gelesen zu werden, wenn die Daten benötigt werden. Dies ist nicht sehr geeignet für Speichermedien, bei denen Daten routinemäßig geschrieben und gelesen werden.
In typischer Verwendung wird Flash hauptsächlich verwendet, um sich auf Speichermedien zu verweisen und kann zwischen einem GB bis Hunderte von GB reichen. Im Gegensatz dazu ist EEPROM in der Regel für eine dauerhafte Codespeicherung in elektronischen Chips reserviert. Typische Werte reichen von Kilobytes bis zu ein paar Megabyte.
Zusammenfassung:
1.Flash ist nur eine Art von EEPROM
2.Flash verwendet NAND -Typ -Speicher, während EEPROM nicht verwendet wird oder Type
3.Flash ist blockvoll löschlich, während EEPROM byte-Weisen löschen ist
4.Flash wird ständig umgeschrieben, während andere Eeprome selten umgeschrieben werden
5.Blitz ist, wenn große Mengen benötigt werden, während EEPROM verwendet wird, wenn nur geringe Mengen benötigt werden